Dane
szczegółowe
Nazwa
Tranzystor
Typ tranzystora
unipolarny
Symbol
IRFB11N50A
Kierunek przewodnictwa
N-MOSFET
Prąd drenu
11A
Napięcie dren-źródło
500V
Moc
170W
Rezystancja w stanie przewodzenia
0,52Ohm
Obudowa
TO220
Montaż
przewlekany (THT)
Właściwości półprzewodników
HEXFET
Producent
Vishay Siliconix
Opakowanie
nieokreślone
Certyfikaty
RoHS