Tranzystor mocy Mosfet wysokiej częstotliwości 12N10; N Kanał Niskie napięcie bramki
| Rodzaj (typ producenta) | 12N10L |
|---|---|
| Obudowa | TO-220AB |
| Producent | ON Semiconductor |
| Kod producenta | OnS |
| Wykonanie | Kanał-N |
| I(d) | 12 A |
| Napięcie niszczące U(BR) (DSS) | 100 V |
| Ptot | 60 W |
| R(DS) wł. | 200 mΩ |
| Natężenie odniesienia R(DS)(on) | 12 A |
| Napięcie odniesienia R(DS)(on) | 10 V |
|---|---|
| U(GS)(th) max. | 2 V |
| Natężenie odniesienia maks U (GS)(th) | 250 |