Tranzystor N-MOSFET T2910 100 V; 30 A; THT; TO220
Tranzystor typu N-MOSFET w obudowie TO220;: VDSS 100 V, Id
21 A i rezystancji 43 mΩ. Element przeznaczony do montażu przewlekanego
THT.
Tranzystor N-MOSFET T2910 posiada trzy wyprowadzenia
przeznaczone do montażu THT. Wyprowadzenie nóżek znajduje się na zdjęcieu w
galerii.
Specyfikacja tranzystora T2910:
Jakie są różnice między tranzystorem bipolarnym a unipolarnym?
Tranzystory bipolarne wyróżniają się tym, że wraz ze wzrostem temperatury rośnie także prąd kolektora, co może uniemożliwiać bezpośrednie połączenie kilku tranzystorów w sposób równoległy.
Tranzystory MOSFET (unipolarne) ze względu na budowę techniczną są bardzo wrażliwe na działanie ładunków elektrostatycznych. Napięcie maksymalne UGS w większości modeli wynosi około 20 V, co oznacza, iż łatwo je przekroczyć bez jakiejkolwiek świadomości, nawet poprzez dotknięcie tranzystora w całkowicie suchym pomieszczeniu.
Działanie tranzystor MOSFET
Tranzystor MOSFET różni się budową swojej wewnętrznej
struktury półprzewodnikowej względem tranzystora NPN jak i PNP. Powoduje to
różnice w zasadzie działania. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego, w
którym przepływ prądu kolektor-emiter jest sterowany prądem bazy, w
tranzystorze polowym, przepływ prądu w kanale dren-źródło jest sterowany
napięciem pomiędzy bramkę a źródło.
Wykorzystując kilka tranzystorów polowych, możemy
zbudować stopień mocy wzmacniacza audio lub np. sterownik silnika prądu
stałego. Taki tranzystor można także wykorzystać do wysterowania cewki
przekaźnika elektromechanicznego, stycznika lub elektrozaworów. Tranzystor z
kanałem N-MOSFET typu AOT2910 może być wykorzystany w szerokim zakresie
wszędzie tam, gdzie wymagane jest precyzyjne sterowanie i przełączanie dużych
prądów.