Dane szczegółowe 

Nazwa Tranzystor
Typ tranzystora unipolarny
Symbol IRF1010E
Kierunek przewodnictwa N-MOSFET
Prąd drenu 84A
Napięcie dren-źródło 60V
Moc 200W
Rezystancja w stanie przewodzenia 12mOhm
Obudowa TO220AB
Montaż przewlekany (THT)
Właściwości półprzewodników HEXFET
Producent International Rectifier
Certyfikaty RoHS