Typ tranzystora:	N-MOSFET
Rezystancja drenu (Rds on):	0,0059 Ohm
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	TO247
Temperatura pracy zakres:	-55°C ~ 175°C
Polaryzacja:	unipolarny
Montaż:	THT
Moc (W):	429W
Napięcie dren-źródło Uds:	150V
Prąd drenu:	167A