Tranzystor N-MOSFET T2910 100 V; 30 A; THT; TO220

Tranzystor typu N-MOSFET w obudowie TO220;: VDSS 100 V, Id 21 A i rezystancji 43 mΩ. Element przeznaczony do montażu przewlekanego THT.

Tranzystor N-MOSFET T2910 posiada trzy wyprowadzenia przeznaczone do montażu THT. Wyprowadzenie nóżek znajduje się na zdjęcieu w galerii.

Specyfikacja tranzystora T2910:

Jakie są różnice między tranzystorem bipolarnym a unipolarnym?

Tranzystory bipolarne wyróżniają się tym, że wraz ze wzrostem temperatury rośnie także prąd kolektora, co może uniemożliwiać bezpośrednie połączenie kilku tranzystorów w sposób równoległy.

Tranzystory MOSFET (unipolarne) ze względu na budowę techniczną są bardzo wrażliwe na działanie ładunków elektrostatycznych. Napięcie maksymalne UGS w większości modeli wynosi około 20 V, co oznacza, iż łatwo je przekroczyć bez jakiejkolwiek świadomości, nawet poprzez dotknięcie tranzystora w całkowicie suchym pomieszczeniu. 

Działanie tranzystor MOSFET

Tranzystor MOSFET różni się budową swojej wewnętrznej struktury półprzewodnikowej względem tranzystora NPN jak i PNP. Powoduje to różnice w zasadzie działania. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego, w którym przepływ prądu kolektor-emiter jest sterowany prądem bazy, w tranzystorze polowym, przepływ prądu w kanale dren-źródło jest sterowany napięciem pomiędzy bramkę a źródło.

Wykorzystując kilka tranzystorów polowych, możemy zbudować stopień mocy wzmacniacza audio lub np. sterownik silnika prądu stałego. Taki tranzystor można także wykorzystać do wysterowania cewki przekaźnika elektromechanicznego, stycznika lub elektrozaworów. Tranzystor z kanałem N-MOSFET typu AOT2910 może być wykorzystany w szerokim zakresie wszędzie tam, gdzie wymagane jest precyzyjne sterowanie i przełączanie dużych prądów.